特許
J-GLOBAL ID：200903087477855249
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021810
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220025
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【構成】 第2層間膜16をエッチングする際には、第1層間膜14のエッチングレートが第2層間膜16のエッチングレートよりも小さくなるように、エッチングガスまたはエッチング液の種類を選択する。また、第1層間膜14を分子密度が緻密な窒化シリコン(SiN)等で形成する。したがって、第1層間膜14が、エッチングストッパおよび拡散阻止膜として機能する。【効果】 エッチングストッパ膜や拡散阻止膜を別途形成する必要がないので、構造および製造工程を簡素化できる。
請求項（抜粋）：
第1の層間膜、前記第1の層間膜に形成されたコンタクトホール、前記第1の層間膜の表面に形成された第2の層間膜、および前記第2の層間膜をエッチングすることによって形成されて前記コンタクトホールに連通する配線溝を備える、半導体装置であって、前記第1の層間膜は前記エッチングにおける前記第2の層間膜のエッチングレートより小さいエッチングレートを有する、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 622
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 M
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/302 J
