集積回路用バリア膜を作成するスパッタリング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055550
公開番号（公開出願番号）：特開平10-237639
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：

【要約】【課題】イオン化スパッタの手法の応用を工夫して行うことで高アスペクト比のホールに集積回路用バリア膜を十分に成膜できるようにする。【解決手段】排気系11を備えたスパッタチャンバー1内に設けられたチタン製のターゲット2からスパッタ電極3によってスパッタされたチタンは、イオン化手段7を構成する高周波コイル71により形成された誘導結合型プラズマP中を通過する際にイオン化し、電界設定手段8により設定された基板50に垂直な電界によって引き込まれて基板50に入射してチタン薄膜を堆積する。作成されたチタン薄膜は、基板50を加熱しながら基板50に窒素ガスを供給する窒素アニール手段によって表面窒化処理され、チタンの上に窒化チタンを積層した集積回路用バリア膜が得られる。

請求項（抜粋）：

チタンと窒化チタンとを積層した構造の集積回路用バリア膜を作成するスパッタリング装置において、排気系を備えたスパッタチャンバーと、このスパッタチャンバー内に設けられたチタンよりなるターゲットと、このターゲットをスパッタするスパッタ電極と、スパッタ放電のためにスパッタチャンバー内にガスを導入するガス導入手段と、スパッタによってターゲットから放出されたチタンをイオン化させるイオン化手段と、イオン化したチタンが入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと、イオン化したチタンを基板に引き込むために基板に垂直な方向に電界を設定する電界設定手段とを備え、チタン薄膜が作成された基板を加熱しながら当該基板の表面に窒素ガスを供給してチタン薄膜の表面を窒化させる窒素アニール手段を有していることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 14/06 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (5件)：

C23C 14/34 J , C23C 14/34 M , C23C 14/06 N , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-338684 出願人：新日本製鐵株式会社
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020284 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭63-169378

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