特許
J-GLOBAL ID：200903087595199976

窒化物系半導体レーザ素子

発明者：
野村 康彦

野村 康彦 について

, 
井上 大二朗

井上 大二朗 について

, 
畑 雅幸

畑 雅幸 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240716
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060319
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】横方向の光閉じ込めを安定化することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、MQW発光層4と、MQW発光層4上に形成され、電流通路部を含むp型クラッド層5と、電流通路部の側面を覆うように形成された電流ブロック層とを備え、電流ブロック層は、誘電体ブロック層7と、誘電体ブロック層7上に形成された半導体ブロック層8とを含む。
請求項（抜粋）：
発光層と、前記発光層上に形成され、電流通路部を含むクラッド層と、前記電流通路部の側面を覆うように形成された電流ブロック層とを備え、前記電流ブロック層は、誘電体ブロック層と、前記誘電体ブロック層上に形成された半導体ブロック層とを含む、窒化物系半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22
FI (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22
Fターム (19件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DB01 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA15
引用特許：
審査官引用 (19件)
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