特許

J-GLOBAL ID：200903087602922697

抵抗メモリ素子及びその形成方法

発明者： 柳 庚昶 ,  呉 在熙 ,  朴 正勳 ,  金 亨俊 ,  林 東源
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-056472
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218597
出願日： 2009年03月10日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】高集積化が可能である相変化メモリ素子及びその形成方法を提供する。【解決手段】高い集積度で集積化が可能である抵抗メモリ素子及びその形成方法が提供される。一実施形態では、ビットラインが銅を使用したダマシン法で形成されて、前記銅ビットラインが形成される際、銅ビットラインの近くに銅スタッドを形成することができる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板上に具備された抵抗メモリ要素と、 前記抵抗メモリ要素の上に具備されたビットラインと、 前記抵抗メモリ要素の上及び外側に具備され、前記ビットラインと同一である物質を含み、前記ビットラインの下面より高い下面を有する上スタッドと、を含む抵抗メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 45/00

FI (5件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 447 ,  H01L45/00 A

Fターム (19件)：

4M119AA11 ,  4M119BB05 ,  4M119DD37 ,  4M119DD42 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA06 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR25 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-193603   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 不揮発性記憶素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-037441   出願人：松下電器産業株式会社
• 強誘電体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-219955   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-225768   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-132949   出願人：松下電器産業株式会社