特許
J-GLOBAL ID：200903087839555699
二次元電磁界シミュレーション方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-004784
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】誘電率が異なる2つの媒質が、Yee格子軸に対して45度傾いている1つの直線を境界として接している場合のTMモード電磁界の時間変化を2次精度で計算する二次元電磁界シミュレーション方法を提供する事。【解決手段】タイプ1の格子点には前記平面と垂直なz方向の磁界成分を、タイプ2の格子点にはy方向の電界成分と誘電率を、タイプ3の格子点にはx方向の電界成分と誘電率を、それぞれ、割り当て、前記電界成分及び磁界成分の時間変化を時間領域差分法によって求める際に、第1近接格子点6a及び6bと、第2近接格子点7a及び7bとに、誘電率として、(εi1+εi2)/2=[(1+δ)ε1+(1-δ)ε2]/2、(1/εi1+1/εi2)/2=[(1+δ)/ε1+(1-δ)/ε2]/2 を満足するεi2とεi1とを、それぞれ、割り当る事を特徴とする二次元電磁界シミュレーション方法を構成する。
請求項（抜粋）：
1つの平面内に透磁率μ・誘電率ε<SB>1</SB>を有する第1の媒質と透磁率μ・誘電率ε<SB>2</SB>を有する第2の媒質とが1つの直線を境界として接し、前記平面内に、前記平面に平行な交流磁界成分を持たない電磁波が存在する場合に、前記平面と等価な仮想平面を前記平面と同一視し、前記仮想平面内における、前記境界に対して45度の傾きを有する2つの方向をx方向及びy方向とし、前記仮想平面内にタイプ1の格子点を、前記x方向及びy方向に、それぞれ、同一間隔△で二次元配置し、タイプ2の格子点を、前記タイプ1の格子点の位置からx方向に△/2だけ移動した位置に配置し、タイプ3の格子点を、前記タイプ1の格子点の位置からy方向に△/2だけ移動した位置に配置し、前記タイプ1の格子点には、該格子点における前記平面と垂直なz方向の磁界成分を割り当て、前記タイプ2の格子点には該格子点におけるy方向の電界成分と該電界成分の時間変化を計算するための誘電率とを割り当て、前記タイプ3の格子点には該格子点におけるx方向の電界成分と該電界成分の時間変化を計算するための誘電率とを割り当て、前記電界成分及び磁界成分の時間変化を時間領域差分法によって求める二次元電磁界シミュレーション方法であって、前記時間変化を計算する上で必要な空間差分として2次精度の空間差分式を用い、前記境界に最も近い前記タイプ1の格子点を最近接格子点とし、前記境界と前記最近接格子点との距離を2<SP>-1/2</SP>|δ|△とし、前記最近接格子点が前記境界上または誘電率ε<SB>1</SB>の領域内にある場合に0≦δとし、前記最近接格子点が誘電率ε<SB>2</SB>の領域内にある場合にδ<0とし、誘電率ε<SB>1</SB>の領域にあって前記最近接格子点に最も近い前記タイプ2の格子点及びタイプ3の格子点を第1近接格子点とし、誘電率ε<SB>2</SB>の領域にあって前記最近接格子点に最も近い前記タイプ2の格子点及びタイプ3の格子点を第2近接格子点とし、式、 (ε<SB>i1</SB> + ε<SB>i2</SB>)/2 = [(1+δ)ε<SB>1</SB> + (1-δ)ε<SB>2</SB>]/2、 (1)及び式、 (1/ε<SB>i1</SB> + 1/ε<SB>i2</SB>)/2 = [(1+δ)/ε<SB>1</SB> + (1-δ)/ε<SB>2</SB>]/2 (2)を満足するε<SB>i1</SB>及びε<SB>i2</SB>を、それぞれ、前記第1近接格子点及び第2近接格子点に割り当て、ε<SB>i1</SB>またはε<SB>i2</SB>を割り当てられていない前記タイプ2の格子点及びタイプ3の格子点には、該格子点が誘電率ε<SB>1</SB>の領域にある場合にはε<SB></SB><SB>1</SB>を、該格子点が誘電率ε<SB>2</SB>の領域にある場合にはε<SB>2</SB>を、それぞれ割り当てる事を特徴とする二次元電磁界シミュレーション方法。
IPC (3件)：
G01R 29/08
, G06F 17/50 612
, G06F 19/00 110
G01R 29/08 Z
, G06F 17/50 612 H
, G06F 19/00 110
