特許
J-GLOBAL ID：200903087880692910
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043696
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 温度特性が良好で、しかも高い信頼性を有する発光波長の長い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 GaAsより大きい格子定数を有する半導体基板10と、半導体基板上に形成され、半導体基板にほぼ格子整合し、Al組成が0より大きく0.51より小さい第1導電型の半導体より成る第1のクラッド層12と、第1のクラッド層上に形成された活性層22と、活性層上に形成され、半導体基板にほぼ格子整合し、Al組成が0より大きく0.51より小さく、第1導電型と異なる第2導電型の半導体より成る第2のクラッド層26とを有している。
請求項（抜粋）：
GaAsより大きい格子定数を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板にほぼ格子整合し、Al組成が0より大きく0.51より小さい第1導電型の半導体より成る第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、前記半導体基板にほぼ格子整合し、Al組成が0より大きく0.51より小さく、前記第1導電型と異なる第2導電型の半導体より成る第2のクラッド層とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F073AA11
, 5F073AA45
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA75
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CA15
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA31
, 5F073EA28
