表面処理方法、マイクロマシンの製造方法、および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225263
公開番号（公開出願番号）：特開2005-034842
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】超臨界流体を用いた処理のみによって確実に渣残物の除去を行うことが可能な表面処理方法を提供する。【解決手段】構造体が形成された表面を、二酸化炭素からなる超臨界流体4によって処理する表面処理方法であって、アンモニウム水酸化物、アルカノールアミン、フッ化アミン、またはフッ化水素酸のうちの少なくとも1つを溶解助剤5とし、溶解助剤5を0.1〜2mol%の濃度範囲で超臨界流体4に添加する。また超臨界流体4には、溶解助剤5と共に界面活性物質6を添加しても良い。界面活性物質6には、極性溶剤を用いても良い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

構造体が形成された表面を、二酸化炭素からなる超臨界流体によって処理する表面処理方法であって、下記式(1)に示すアンモニウム水酸化物、下記式(2)に示すアルカノールアミン、下記式(3)に示すフッ化アミン、またはフッ化水素酸のうちの少なくとも1つを溶解助剤とし、当該溶解助剤を0.1〜2mol%の濃度範囲で、界面活性剤や極性溶剤などの相溶剤のうち少なくとも1つの相溶剤とともに、前記超臨界流体に添加することを特徴とする表面処理方法。

IPC (4件)：

B08B7/00 , B81C1/00 , C09K13/08 , H01L21/304

FI (7件)：

B08B7/00 , B81C1/00 , C09K13/08 , H01L21/304 647A , H01L21/304 647B , H01L21/304 647Z , H01L21/302 104H

Fターム (14件)：

3B116AA03 , 3B116AA46 , 3B116BB22 , 3B116BB62 , 3B116BB82 , 3B116BB90 , 3B116BC01 , 5F004AA14 , 5F004BD01 , 5F004DB26 , 5F004DB27 , 5F004EA10 , 5F004EA29 , 5F004FA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

超臨界乾燥装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-254835 出願人：日本電信電話株式会社
表面処理方法および装置ならびにこれにより得られた素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-296776 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

無機汚染除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-208037 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
化学的誘導及び抽出による無機汚染物質の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-199998 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
微細構造体の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-034337 出願人：株式会社神戸製鋼所

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