特許
J-GLOBAL ID:200903088094481120
基板処理方法及び基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中本 菊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-094917
公開番号(公開出願番号):特開2004-319990
出願日: 2004年03月29日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】 少量で薬液を被処理基板上に供給して、被処理基板表面に疎水面が出て来ても、パーティクルの原因となる液滴にならずに液膜を形成させることのできる基板処理方法及びその装置を提供することにある。【解決手段】 回転するウエハWに対し、ウエハWの半径方向に移動する薬液ノズル61により、薬液(DHF)65を供給して薬液の膜を形成する工程と、疎水面の露出により薬液が液滴となる前に、薬液ノズル61に続いてウエハ上の同一半径箇所を通過する純水ノズル62から純水66を供給して、薬液と純水の混合液の膜をウエハの表面全体に形成する工程と、純水ノズルから純水を供給して混合液を除去する工程とを行う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
薬液を回転する被処理基板に供給して、薬液の膜を被処理基板の表面に形成する工程と、
リンス液を回転する上記被処理基板に供給して、薬液とリンス液の混合液の膜を上記被処理基板の表面全面に形成する工程と、
上記被処理基板の表面からリンス液により上記混合液を除去する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件):
H01L21/304
, G02F1/13
, G02F1/1333
FI (7件):
H01L21/304 648G
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 643C
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 648K
, G02F1/13 101
, G02F1/1333 500
Fターム (7件):
2H088FA21
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088MA20
, 2H090JB02
, 2H090JC19
, 2H090JD14
引用特許:
出願人引用 (1件)
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特開平4-287922号公報(特許請求の範囲、段落番号0014,0019、図1)
審査官引用 (6件)
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特開平4-287922
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処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-084064
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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基板処理装置及び基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-092660
出願人:東京エレクトロン株式会社
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