特許
J-GLOBAL ID：200903088140372463
インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-177514
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005023
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 半導体デバイスの、数nm〜数十nm程度の微細なパターン形成用として、ナノインプリントリソグラフィにおいても、対応できる位置精度を有するインプリント方法、インプリント装置を提供する。同時に、そのようなインプリント装置に用いられる型部材を提供する。更には、このようなインプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法を提供する。【解決手段】 加圧に際し、互いに嵌合し、所定の位置で保持される凹構造、凸構造を1組として、互いに嵌合する凹構造、凸構造をそれぞれ型部材側、基板側に分けて、1組以上配設し、これら凹構造、凸構造からなる各組を、それぞれ、型部材と基板との、位置合わせ部として、該位置合わせ部にて位置合わせを行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リソグラフィー法により所定の凹凸パターンが形成された平板状の型部材の前記凹凸パターン側と、形成するパターンを支持する基材となる平板状の基板のパタ-ン形成側とを、型部材側を上、基板側を下として向かい合わせ、基板のパタ-ン形成側上に放射線硬化性の液状の樹脂を配設した状態で、前記型部材およびまたは基板に対し、前記樹脂を加圧するように圧力をかけて、型部材と基板との間隙における樹脂が所望の形状になるようにして、該樹脂を放射線硬化させ、更に型部材を硬化した樹脂からはがして基板上に硬化した樹脂からなるパターン部を形成するための、インプリント方法であって、前記加圧に際し、互いに嵌合し、所定の位置で保持される凹構造、凸構造を1組として、互いに嵌合する凹構造、凸構造を型部材側、基板側に分けて、1組以上配設し、これら凹構造、凸構造からなる各組を、それぞれ、型部材と基板との、位置合わせ部として、該位置合わせ部にて位置合わせを行うことを特徴とするインプリント方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, G03F7/20 501
出願人引用 (2件)
審査官引用 (10件)
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