特許
J-GLOBAL ID：200903088153449538
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012950
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218283
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 全高が低く、生産性と信頼性とを向上できる突起電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 半導体チップ4を樹脂封止した突起形状としての封止材6と同一面上の基板10上には、接続用パッド2が形成される。突起電極9の融点以下で溶けるフィルム8a、8bが、基板10上に積層され封止材6を覆う。フィルム8a、8bに設けられた接続用パッド2に対応する開口に、半田ペースト11を充填する。加熱により、半田ペースト11が硬化して接続用パッド2に接する突起電極9を形成し、フィルム8a、8bが溶融し半導体装置20の隙間を充填する。
請求項（抜粋）：
略平板状の基板上に半導体チップが搭載され、上記半導体チップおよび実装基板とに電気的に接続されるとともに、上記基板から突出する突起電極を有し、上記実装基板に実装された半導体装置において、上記半導体チップを封止して形成された突起形状と上記突起電極とが、上記基板の同一面上に位置し、上記半導体装置と上記実装基板との隙間を充填している絶縁性の副基材を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/12 501
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
H01L 23/12 501 T
, H01L 25/08 Z
, H01L 25/14 Z
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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