特許
J-GLOBAL ID：200903088153980624
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-110193
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294700
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、信頼性が高く、低コストのトランジスタを提供する。【解決手段】 基板と、前記基板上に形成された第1導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域上に形成された第1導電型のエミッタ領域と、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、前記エミッタ領域が、Inx(GayAl1-y)1-xAs(0≦x≦1、0≦y≦1)からなるアンドープ層と、前記アンドープ層の表面の一部にメサ状に形成され前記アンドープ層と格子整合する材料からなり前記アンドープ層よりも第1導電型不純物濃度が高い第1導電型のメサ構造部と、を有し、前記メサ構造部の側面と、前記アンドープ層の前記表面のうちの前記メサ構造部を囲む領域と、が金属保護層により覆われ、前記金属保護層が、前記アンドープ層とショットキー接合を形成し、真空蒸着により形成可能な材料からなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域上に形成された第1導電型のエミッタ領域と、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
前記エミッタ領域が、
Inx(GayAl1-y)1-xAs(0≦x≦1、0≦y≦1)からなるアンドープ層と、
前記アンドープ層の表面の一部にメサ状に形成され前記アンドープ層と格子整合する材料からなる第1導電型のメサ構造部と、を有し、
前記アンドープ層の第1導電型不純物濃度が前記メサ構造部の第1導電型不純物濃度よりも低いかまたは0であり、
前記メサ構造部の側面と前記アンドープ層の前記表面とが連続的な金属保護層により覆われ、
前記金属保護層が、前記アンドープ層とショットキー接合を形成し、真空蒸着により形成可能な材料からなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
5F003AP02
, 5F003BA11
, 5F003BA13
, 5F003BA92
, 5F003BC01
, 5F003BE01
, 5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BH08
, 5F003BH99
, 5F003BM03
, 5F003BP31
, 5F003BP95
