半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山田卓二 , 中野晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-013349
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194514
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】半導体ウエハを熱処理することによる半導体ウエハの反り量を低減した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】裏面電極を有する半導体装置の製造方法が、表面と裏面とを備える半導体ウエハを準備する工程と、半導体ウエハの裏面に第1金属層を形成し、熱処理により半導体ウエハと第1金属層との間にオーミック接合を形成する熱処理工程と、熱処理工程の後に、Niからなる第2金属層を、半導体基板の裏面上に形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

裏面電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面と裏面とを備える半導体ウエハを準備する工程と、該半導体ウエハの裏面に第1金属層を形成し、熱処理により該半導体ウエハと該第1金属層との間にオーミック接合を形成する熱処理工程と、該熱処理工程の後に、Niからなる第2金属層を、該半導体基板の裏面上に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/28

FI (3件)：

H01L29/78 652L , H01L29/78 655A , H01L21/28 301R

Fターム (11件)：

4M104AA01 , 4M104BB03 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH15 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平04-072764号公報

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-215579 出願人：トヨタ自動車株式会社
半導体装置の電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-176870 出願人：日本電装株式会社
特開昭54-016979

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