特許
J-GLOBAL ID：200903088354557754

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
田村 聡之

田村 聡之 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343345
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179365
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】窒化物半導体素子における透光性電極との間の接触抵抗を低減できるようにする。【解決手段】サファイアよりなる基板11の上には、n型の窒化ガリウムよりなる第1の半導体層12と、GaNよりなる障壁層とInGaNよりなる井戸層とが3対積層されてなる多重量子井戸活性層13と、p型の窒化ガリウムよりなる第2の半導体層14とが順次形成されている。第2の半導体層14の上には、ITOよりなる透光性電極15が形成されている。透光性電極15を構成するITOには、p型の第2の半導体層14に添加された不純物元素と同一のマグネシウムが添加されている。このITOに添加されたマグネシウムは、後述するように製造時のアニールにより第2の半導体層14に拡散して、該第2の半導体層14と透光性電極15との接触抵抗が低減する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電型が互いに異なる2つの半導体層を含む複数のIII-V族窒化物半導体層よりなる半導体積層構造体と、 前記半導体積層構造体の上に形成された透光性電極とを備え、 前記透光性電極は、前記半導体積層構造体のうち前記透光性電極と界面を持つ半導体に添加された不純物元素と同一の導電型を示す不純物元素を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (29件)：
5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F073AA04 ,  5F073AA61 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB16 ,  5F073AB19 ,  5F073CA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CB03 ,  5F073CB18 ,  5F073CB22 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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