特許

J-GLOBAL ID：200903088505370910

半導体装置及びその製造方法

発明者： 飯島 良介 ,  山口 豪 ,  西山 彰
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279885
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045166
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】 ゲート絶縁膜として金属シリケートを用いた構成において、ゲート電極を構成するボロン等の原子のゲート絶縁膜中への拡散を抑制すると共に、シリコン基板の界面準位の増加を抑制する。【解決手段】 シリコン基板101上にゲート絶縁膜103を介してゲート電極104が形成された電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、ゲート絶縁膜103は、金属・シリコン・酸素・窒素を含み、該膜103中の窒素濃度はゲート電極界面部で最大、且つ基板界面部で最小であり、ゲート絶縁膜103中の金属濃度はゲート電極界面部で最小、且つ基板界面部で最大である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、 前記ゲート絶縁膜は金属・シリコン・酸素・窒素を含み、該膜中の窒素濃度は前記ゲート電極との界面部で最大、且つ前記基板との界面部で最小であり、前記ゲート絶縁膜中の金属濃度は前記ゲート電極との界面部で最小、且つ前記基板との界面部で最大であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V

Fターム (92件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA02 ,  5F058BA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BC12 ,  5F058BD09 ,  5F058BD16 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF20 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH04 ,  5F058BH15 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF06 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE15 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-246882   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-083380   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001546   出願人：株式会社東芝
• MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094052   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置および非晶質高誘電体膜の堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-193789   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-030791   出願人：株式会社東芝