特許

J-GLOBAL ID：200903088508183046

低駆動電圧のIII族窒化物発光素子

発明者： ワーナー ゴーツ ,  ネイザン フレデリック ガードナー ,  リチャード スコット カーン ,  アンドリュー ヤンキュ キム ,  アンネリ マンコルム ,  スティーブン エイ ストックマン ,  クリストファー ピー ココット ,  リチャード ピー シュネイダー ジュニア
出願人/特許権者： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155493
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037289
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子、より詳細には、III族窒化物発光素子を提供する。【解決手段】 改良された性能を有するIII族窒化物発光ダイオード。一実施形態において、発光素子は、基板、基板上に配置された核形成層、核形成層の上方に配置された欠陥低減構造、及び、欠陥低減構造の上方に配置されたn型III族窒化物半導体層を含む。n型層は、例えば、約1ミクロンよりも大きい厚み、及び、約1019cm-3に等しいか又はそれ以上のシリコンドーパント濃度を有する。別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも1つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置された核形成層と、前記核形成層の上方に配置された欠陥低減構造と、前記欠陥低減構造の上方に配置された、約1ミクロンに等しいか又はそれ以上の厚みと約1×1019cm-3に等しいか又はそれ以上のシリコンドーパント濃度とを有するn型III族窒化物半導体層と、を含むことを特徴とする発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (37件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135288   出願人：松下電器産業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082510   出願人：三洋電機株式会社
• 発光ダイオ-ドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-154957   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-300615   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-276926   出願人：株式会社東芝
• 窒化物系半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021333   出願人：株式会社東芝