特許
J-GLOBAL ID：200903088739979498
EEPROM及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185830
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048004
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】EEPROM及びその製造方法を提供する。【解決手段】EEPROMは半導体基板の表面に比べて凹形成されたトレンチ素子分離膜を含んでおり、半導体基板の表面だけでなく素子分離膜の上側傍に露出された半導体基板部まで活性領域として活用する。これにより、平面レイアウト上に単位セルの大きさの増加なしにも実質的な有効チャンネル領域を拡張させてセル性能が向上できる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に対して凹形成されたトレンチ素子分離膜と、
前記素子分離膜と前記素子分離膜に対して突出された半導体基板との面に沿って形成されたトンネル酸化膜と、
前記トンネル酸化膜上に形成された窒化膜と、
前記窒化膜上に形成されたブロッキング酸化膜と、
前記ブロッキング酸化膜上に形成されたポリシリコンゲート導電層と、を含むことを特徴とするEEPROM。
IPC (4件)：
H01L21/8247
, H01L27/115
, H01L29/788
, H01L29/792
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP18
, 5F083EP22
, 5F083EP48
, 5F083ER21
, 5F083GA09
, 5F083JA04
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA53
, 5F083NA01
, 5F083PR05
, 5F083PR15
, 5F083PR34
, 5F101BA45
, 5F101BB02
, 5F101BD13
, 5F101BD35
, 5F101BE07
, 5F101BH05
, 5F101BH15
, 5F101BH16
