反応性スパッタリング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-283397
公開番号（公開出願番号）：特開2005-048260
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】可視及び紫外域で吸収のないMgF2,LaF3,YF3,AlF3等のフッ化物薄膜や、Al2O3,SiO2,Ta2O5,TiO2等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。【解決手段】一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にAr,Xe,Kr等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。噴出する位置はターゲット-基板に挟まれる空間であって、基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。また、ターゲットが移動する際にはガス噴出し口もともに移動もしくは噴出し位置が可変できる構成とする。これによって、基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一端が開口し不活性ガスを内部に導入するための供給孔を有する中空状のターゲットと、基板とを、装置内部に設け、該供給孔を介して不活性ガスを該ターゲットの内部に導入するとともに、該基板表面に向けて反応性ガスを吹き付けながらスパッタリングを行うことを特徴とする反応性スパッタリング方法。

IPC (3件)：

C23C14/34 , G02B1/11 , G02B5/08

FI (3件)：

C23C14/34 M , G02B5/08 C , G02B1/10 A

Fターム (14件)：

2H042DA08 , 2H042DC02 , 2K009AA02 , 2K009CC03 , 2K009CC06 , 2K009DD04 , 2K009DD09 , 2K009EE00 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA44 , 4K029BA48 , 4K029CA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

スパッタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-079315 出願人：三菱電機株式会社
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-132338 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (8件)

反応性スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229987 出願人：松下電器産業株式会社
構造部品を断熱層で被覆する方法と被覆装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-500083 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
ガス流スパッタリングにより基板を被覆する方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-512229 出願人：フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエーファウ

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