半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004122
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129850
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、高集積DRAMに適用し得る半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法を提供しようとするものである。【解決手段】Pt層及びTiN層を有した多層形の電極構造を夫々個別的にエッチングせず、単一のマスク段階で一挙にエッチングして形成し、製造工程を単純化し得る半導体素子の高誘電率キャパシター及びその製造方法が提供されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子の高誘電率キャパシターであって、基板上に第1絶縁膜が形成され、該第1絶縁膜上に第2絶縁膜が形成され、それら第1絶縁膜及び第2絶縁膜の中央部位に側壁が形成され、該側壁に連続して下方向きに接続溝が食刻形成され、それら側壁及び接続溝上にキャパシター第1電極のTiN層及びPt層が夫々順次形成され、該キャパシター第1電極上に誘電層が形成され、該誘電層上にキャパシター第2電極が形成され、てなる半導体素子の高誘電率キャパシター。

IPC (7件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 C , H01L 21/90 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-216665
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-006061 出願人：三菱電機株式会社
素子分離の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-306198 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る