特許
J-GLOBAL ID：200903088950006013

ポリシリコン膜の除去方法および記憶媒体

発明者：
中森 光則

中森 光則 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-019506
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182136
出願日： 2008年01月30日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】ポリシリコン膜が形成された基板の端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去する際に、形状性良く、かつエッチング残りが実質的に存在せずに除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。【解決手段】ポリシリコン膜41が形成されたウエハWにおけるベベル部42のポリシリコン膜41をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、ベベル部42のポリシリコン膜41を除去せずに親水化する工程と、エッチング境界43が平坦になる程度の回転数でウエハを回転させながら、親水化されたベベル部42のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液をエッチング液として供給する工程とを含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法であって、 基板端部のポリシリコン膜を除去せずに親水化する工程と、 エッチング境界の形状性が良好になる回転数で基板を回転させながら、前記親水化された基板端部のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液からなるエッチング液を供給する工程と を含むことを特徴とするポリシリコン膜の除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/02
FI (3件)：
H01L21/306 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/306 R
Fターム (9件)：
5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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