特許

J-GLOBAL ID：200903089113558080

炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板

発明者： 塩見 弘 ,  佐々木 信 ,  木下 博之 ,  原田 真 ,  林 利彦
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-372935
公開番号（公開出願番号）：特開2005-132703
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】 反りを効率的に矯正することができるSiC基板の製造方法とその方法により得られたSiC基板を提供する。【解決手段】 SiCからなるインゴッドを形成する工程と、このインゴッドを加熱する工程と、インゴッドを冷却した後に所定の厚みに切断する工程とを含む、SiC基板の製造方法である。また、上記SiC基板の製造方法によって得られたSiC基板であって、半導体デバイス用の基板として用いられるSiC基板である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなるインゴッドを形成する工程と、前記インゴッドを加熱する工程と、前記インゴッドを冷却した後に所定の厚みに切断する工程と、を含む、炭化珪素基板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/36 ,  C30B33/02

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B33/02

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EA06 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FE13 ,  4G077FE17 ,  4G077FG11 ,  4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体基板および半導体基板のそり矯正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275133   出願人：株式会社デンソー
• 単結晶炭化珪素薄膜の製造方法および単結晶炭化珪素薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-027014   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (4件)

• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042708   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-084854   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-401550   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 単結晶炭化珪素薄膜の製造方法および単結晶炭化珪素薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-027014   出願人：株式会社デンソー