特許
J-GLOBAL ID：200903089443396035
シリコンウェーハのエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209230
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048026
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】シリコンウェーハのマクロな形状精度である平坦度とミクロな形状精度である表面粗さの双方を良好にする。【解決手段】NH4OH水溶液、NaOH水溶液、KOH水溶液又はエチレンジアミン水溶液のようなアルカリ水溶液にカチオン界面活性剤、両性界面活性剤又は極性基を有する有機高分子を添加して調製されたエッチング液を20〜60°Cの温度にした後、このエッチング液にシリコンウェーハを浸漬してエッチングする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アルカリ水溶液にカチオン界面活性剤、両性界面活性剤又は極性基を有する有機高分子を添加して調製されたエッチング液を20〜60°Cの温度にした後、前記エッチング液にシリコンウェーハを浸漬してエッチングすることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD07
, 5F043GG10
