特許

J-GLOBAL ID：200903089456263131

複合酸化物積層体、複合酸化物積層体の製造方法、デバイス

発明者： 木島 健 ,  大橋 幸司 ,  ▲濱▼田 泰彰
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256416
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073598
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板20と、前記基板20の上方に形成され、一般式ABO3で表される第1複合酸化物層24と、前記第1複合酸化物層24の上方に形成され、一般式AB1-xCxO3で表される第2複合酸化物層26と、を含み、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、WおよびHfの少なくとも一つからなり、C元素は、NbおよびTaの少なくとも一つからなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上方に形成され、一般式ABO3で表される第1複合酸化物層と、 前記第1複合酸化物層の上方に形成され、一般式AB1-xCxO3で表される第2複合酸化物層と、を含み、 A元素は、少なくともPbからなり、 B元素は、Zr、Ti、V、WおよびHfの少なくとも一つからなり、 C元素は、NbおよびTaの少なくとも一つからなる、複合酸化物積層体。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H03H 9/25 ,  H03H 3/08

FI (9件)：

H01L21/316 G ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H03H9/25 Z ,  H03H3/08

Fターム (27件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083FR10 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5J097AA06 ,  5J097AA29 ,  5J097BB01 ,  5J097BB11 ,  5J097FF01 ,  5J097FF03 ,  5J097KK01 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 酸化物膜の製造方法と強誘電体メモリの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-320452   出願人：日本電気株式会社
• 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-030472   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (3件)

• 多層プリント配線板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-350731   出願人：イビデン株式会社
• メモリの素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-109580   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-287087   出願人：セイコーエプソン株式会社