特許
J-GLOBAL ID：200903049223304359

強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ

発明者：
宮澤 弘

宮澤 弘 について

, 
木島 健

木島 健 について

, 
名取 栄治

名取 栄治 について

, 
青山 拓

青山 拓 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-287087
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159308
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 1T1C、2T2C、および単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタを含む、1T1C、2T2Cおよび単純マトリクス型強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 本発明に係る強誘電体膜101は, A1-bB1-aXaO3の一般式で示され、 Aは、Pbを含み、 Bは、ZrおよびTiのうちの少なくとも一つからなり、 Xは、V、Nb、Ta、Cr、Mo、およびWのうちの少なくとも一つからなり、 aは、0.05≦a≦0.3の範囲であり、 bは,0.025≦b≦0.15の範囲である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
A1-bB1-aXaO3の一般式で示され、 Aは、Pbを含み、 Bは、ZrおよびTiのうちの少なくとも一つからなり、 Xは、V、Nb、Ta、Cr、Mo、およびWのうちの少なくとも一つからなり、 aは、0.05≦a≦0.3の範囲であり、 bは、0.025≦b≦0.15の範囲である、強誘電体膜。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L21/316
FI (3件)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 444Z
Fターム (19件)：
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BD05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM