特許
J-GLOBAL ID：200903089509800070

水素製造装置

発明者：
三矢 耕平

三矢 耕平 について

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島森 融

島森 融 について

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志垣 秀和

志垣 秀和 について

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田中 裕之

田中 裕之 について

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安田 勇

安田 勇 について

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白崎 義則

白崎 義則 について

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常木 達也

常木 達也 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について

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東京瓦斯株式会社

東京瓦斯株式会社 について


代理人 (1件)： 福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-099686
公開番号（公開出願番号）：特開2007-269595
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】多孔質支持体と水素透過膜との剥離や亀裂を防ぎながら、水素透過膜中の金属成分と多孔質支持体中の金属成分との拡散、反応を防止し、高温での使用に対しても寿命の長い水素製造装置の提供。【解決手段】多孔質支持体2の表面に、密着層3、バリア層4、水素透過膜5が順次形成されており、多孔質支持体2は触媒金属成分を含み、水素透過膜5は水素透過性金属を含み、バリア層4は前記触媒金属成分を含まない層を有する多孔質層であり、かつ密着層3が多孔質支持体2の熱膨張率とバリア層4の熱膨張率との間の熱膨張率を持つ多孔質層である水素製造装置1、並びに多孔質支持体2の表面に、密着層3、バリア層4、水素透過膜5が順次形成されており、多孔質支持体2、水素透過膜5、およびバリア層4は前記同様であり、かつ密着層3が多孔質支持体2よりも少ない前記触媒金属成分を含む多孔質層である水素製造装置1。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
多孔質支持体の表面に、密着層、バリア層、水素透過膜が順次形成されており、多孔質支持体は触媒金属成分を含み、水素透過膜は水素透過性金属を含み、バリア層は前記触媒金属成分を含まない層を有する多孔質層であり、密着層は多孔質支持体の熱膨張率とバリア層の熱膨張率との間の熱膨張率を持つ多孔質層である水素製造装置。
IPC (5件)：
C01B 3/56 ,  C01B 3/38 ,  B01D 69/10 ,  B01D 71/02 ,  B01D 53/22
FI (5件)：
C01B3/56 Z ,  C01B3/38 ,  B01D69/10 ,  B01D71/02 500 ,  B01D53/22
Fターム (31件)：
4D006GA41 ,  4D006HA22 ,  4D006MA02 ,  4D006MA09 ,  4D006MB04 ,  4D006MB15 ,  4D006MC02 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006NA46 ,  4D006NA49 ,  4D006NA50 ,  4D006NA64 ,  4D006PA01 ,  4D006PB66 ,  4D006PC69 ,  4D006PC80 ,  4G140EA02 ,  4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EB19 ,  4G140EB37 ,  4G140EB46 ,  4G140FA02 ,  4G140FB09 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  5H027BA01 ,  5H027BA16 ,  5H027DD00
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 水素製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-313978   出願人：東京瓦斯株式会社
  • 水素製造用反応筒及び反応板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-133906   出願人：東京瓦斯株式会社, 日本特殊陶業株式会社
審査官引用 (9件)
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