特許
J-GLOBAL ID:200903089568545296

全反射減衰を利用したセンサー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-286616
公開番号(公開出願番号):特開2002-296176
出願日: 2001年09月20日
公開日(公表日): 2002年10月09日
要約:
【要約】【課題】 全反射減衰を利用したセンサーの測定において精密な測定を行う。【解決手段】 誘電体ブロック10と、その一面に形成された薄膜層12と、光ビーム13を誘電体ブロック10に対して、それと薄膜層12との界面10bで全反射条件が得られるように種々の角度で入射させる光学系15と、上記界面10bにおいて全反射した光ビームを検出するアレイ状フォトダイオードアレイ17とを備えてなる全反射減衰を利用したセンサーにおいて、950nmの波長の光ビームを発生させる光源を用い、この950nmの波長の光ビームを用いて測定を行う。
請求項(抜粋):
誘電体ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて、試料に接触させられる薄膜層と、光ビームを発生させる光源と、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件が得られるように種々の角度で入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して、全反射減衰の状態を検知する光検出手段とを備えてなる全反射減衰を利用したセンサーにおいて、前記光ビームとして、850nm以上の波長の光を用いたことを特徴とする全反射減衰を利用したセンサー。
Fターム (15件):
2G059AA01 ,  2G059DD12 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059FF03 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ02 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ12 ,  2G059JJ21 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM09 ,  2G059NN01
引用特許:
審査官引用 (13件)
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