特許
J-GLOBAL ID:200903089634009260

研磨パッドと該研磨パッドの製造方法および該研磨パッドを用いた半導体基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 笠井 美孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-011056
公開番号(公開出願番号):特開2005-118996
出願日: 2005年01月19日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】 ウェハ等の半導体基板の表面をCMP法によって研磨するに際して、スラリの流動を積極的に且つ効率良く制御し得て、以て、目的とする研磨加工を高精度に安定して実施することを可能とする、新規な構造の研磨パッドを提供すること。【解決手段】 合成樹脂製のパッド基板12の表面に対して略周方向に延びる凹溝16を形成すると共に、該凹溝16の内周側壁面20と外周側壁面22を相互に略平行として、且つ該パッド基板12の中心軸18に対して傾斜させた。そして、かかる傾斜溝である凹溝16の溝幅:B,深さ:D,ピッチ:Pおよび傾斜角度:αの各値を、以下の範囲内で設定した。 0.005mm ≦ B ≦ 3.0mm 0.1mm ≦ D ≦ 2.0mm 0.1mm ≦ P ≦60.0mm(直線溝の場合) 0.1mm ≦ P ≦10.0mm(周方向溝の場合) 0.5度 ≦|α|≦ 30度【選択図】 図2
請求項(抜粋):
合成樹脂製のパッド基板の表面に凹溝を形成した、半導体基板の研磨に用いられる研磨パッドにおいて、 前記凹溝として、それぞれ直線的に且つ互いに平行に延びる複数条の直線溝を、該パッド基板の径方向線上で相互に離隔せしめて形成し、該直線溝を、該パッド基板の中心軸に対して深さ方向で傾斜した略平行な両側壁面を有する傾斜溝とすると共に、該直線溝における溝幅:B,深さ:D,ピッチ:Pおよび傾斜角度:αの各値を、以下の範囲内で設定したことを特徴とする研磨パッド。 0.005mm ≦ B ≦ 3.0mm 0.1mm ≦ D ≦ 2.0mm 0.1mm ≦ P ≦60.0mm 0.5度 ≦|α|≦ 30度
IPC (2件):
B24B37/00 ,  H01L21/304
FI (2件):
B24B37/00 C ,  H01L21/304 622F
Fターム (5件):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5921855号明細書
  • 米国特許第5984769号明細書
  • 米国特許第6364749号明細書
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審査官引用 (5件)
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