特許

J-GLOBAL ID：200903089712369678

半導体モジュール

発明者： 下川 一生 ,  小梁川 尚 ,  大石 昌子 ,  山田 達也 ,  薄田 修 ,  遠藤 佳紀 ,  三浦 泰基 ,  豊島 正規 ,  大村 一郎 ,  中川 明夫 ,  松下 憲一 ,  川口 雄介 ,  新井 晴輝 ,  武井 洋 ,  川野 友広 ,  吉川 典朗 ,  高橋 守郎 ,  斎藤 康人 ,  浦瀬 昌弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-253276
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073664
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 DC-DCコンバータ用の半導体モジュールの実装スペースの小面積化、配線インピーダンスの低減及び放熱性の向上を図ること。【解決手段】 高電位側のパワーMOSチップ5及び低電位側のパワーMOSチップ7及びこれらのチップに形成されたMOSFETのゲートを駆動するための駆動用ICチップ9が、フリップチップボンディングにより実装基板3に実装されている。パワーMOSチップ5,7の裏面上には、ヒートシンク部53,55が配置されている。ヒートシンク部55は二箇所で実装基板3に固定されている。樹脂部材61により、パワーMOSチップ5,7及び駆動用ICチップ9が一つのパッケージとして封止されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

実装基板と、 表面及び裏面を有すると共に前記表面が前記実装基板と面するように前記実装基板にフリップチップボンディングで実装された複数のパワースイッチングデバイスチップと、 前記実装基板にフリップチップボンディングで実装されると共に前記複数のパワースイッチングデバイスチップに形成されたトランジスタのゲートを駆動するための駆動用ICチップと、 前記複数のパワースイッチングデバイスチップの前記裏面上にそれぞれ配置された複数のヒートシンク部と、 前記複数のパワースイッチングデバイスチップ及び前記駆動用ICチップを一つのパッケージとして封止する樹脂部材と、を備える

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高周波マルチチップモジュール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201163   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-103304   出願人：東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• モジュール電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-110047   出願人：太陽誘電株式会社
• 半導体部品、半導体装置、及び該半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-009510   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-027066   出願人：株式会社東芝