特許
J-GLOBAL ID：200903089729657162

半導体発光デバイス

発明者：
西田 豊三

西田 豊三 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269087
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094219
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、境界面における歪み量の絶対値を低減し、半導体特性を向上させることを目的とする。【解決手段】 GaAs半導体基板1上に形成された井戸層41と障壁層43の積層構造からなる多重量子井戸層で活性層4が構成され、上記活性層4は2種類の相反する歪みを有し、全体的な歪み量を相殺した半導体レーザ装置において、活性層4は引っ張り歪みを有するGaInP層41と圧縮歪みを有するAlGaInP層43との間に無歪みのAlGaInP層42が挿入されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された井戸層と障壁層の積層構造からなる多重量子井戸層で活性層が構成され、上記活性層は2種類の相反する歪みを有し、全体的な歪み量を相殺した半導体発光デバイスにおいて、活性層を構成する相反する歪みを有する層の間に無歪みの層が挿入されていることを特徴とする半導体発光デバイス。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 B
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CB03 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA14 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (9件)
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