特許
J-GLOBAL ID:200903089789709447
多孔性有機ポリシリカ誘電体形成用の組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
千田 稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-312551
公開番号(公開出願番号):特開2002-284997
出願日: 2001年10月10日
公開日(公表日): 2002年10月03日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 電子部品の製造において、電子デバイスの中間層、又はインターメタル、絶縁体の誘導率を減ずるために、均一に分散したポア又はボイドを導入すること、ならびにフォトレジストの露光中における活性線の反射を低減することが求められている。【解決手段】多孔性有機ポリシリカ誘電体の形成に有用な組成物であって、除去可能なポロゲンを含み、該ポロゲンが1以上の発色団を含む、組成物であって、1以上の発色団が、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、アントラセニル、置換アントラセニル、フェナントレニル、置換フェナントレニル、および1以上の(C4-C24)アルキル基を含むモノマーから選択される上記組成物。
請求項(抜粋):
多孔性有機ポリシリカ誘電体の形成に有用な組成物であって、除去可能なポロゲンを含み、該ポロゲンが1以上の発色団を含む、組成物。
IPC (10件):
C08L 83/02
, C08F 20/18
, C08F230/08
, C08F290/06
, C08L 33/04
, C08L 55/00
, C08L 83/04
, G03F 7/004 506
, H01L 21/027
, H01L 21/312
FI (10件):
C08L 83/02
, C08F 20/18
, C08F230/08
, C08F290/06
, C08L 33/04
, C08L 55/00
, C08L 83/04
, G03F 7/004 506
, H01L 21/312 C
, H01L 21/30 574
Fターム (81件):
2H025AB16
, 2H025DA34
, 4J002BG042
, 4J002BG052
, 4J002BQ002
, 4J002CP021
, 4J002CP031
, 4J002CP041
, 4J002CP051
, 4J002CP061
, 4J002CP081
, 4J002CP091
, 4J002CP101
, 4J002GP03
, 4J002GQ01
, 4J027AC03
, 4J027AC04
, 4J027AC06
, 4J027AC07
, 4J027AF03
, 4J027AJ01
, 4J027AJ02
, 4J027AJ08
, 4J027BA04
, 4J027BA05
, 4J027BA06
, 4J027BA07
, 4J027BA08
, 4J027BA09
, 4J027BA10
, 4J027BA13
, 4J027BA14
, 4J027BA17
, 4J027BA19
, 4J027BA20
, 4J027BA23
, 4J027BA26
, 4J027BA27
, 4J100AB07R
, 4J100AC24R
, 4J100AC25R
, 4J100AC26R
, 4J100AE09R
, 4J100AG08R
, 4J100AL03P
, 4J100AL04P
, 4J100AL05P
, 4J100AL08P
, 4J100AL08R
, 4J100AL66R
, 4J100AM21R
, 4J100AP16Q
, 4J100AP17Q
, 4J100AS06R
, 4J100BA03R
, 4J100BA08R
, 4J100BA35R
, 4J100BA58R
, 4J100BA59R
, 4J100BA72Q
, 4J100BA75Q
, 4J100BA77Q
, 4J100BA80Q
, 4J100BA81Q
, 4J100BB07R
, 4J100BB12R
, 4J100BB18R
, 4J100BC01R
, 4J100BC36P
, 4J100BC43Q
, 4J100BC44P
, 4J100BC48P
, 4J100BC49P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
, 4J100JA44
, 5F046PA07
, 5F058AC03
, 5F058AF04
引用特許:
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