特許
J-GLOBAL ID：200903089828100005
冷電子放出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067630
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259745
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【目的】 冷電子放出素子の放出電流を複数の制御電圧系統により安定化制御するのに適当で、かつ簡単な素子構造を提供する。【構成】 p型半導体基板31を加工して尖端部POを有するエミッタ13を作製し、このエミッタ13に対し横方向に離間した位置のp型半導体基板表面にn型ソース領域32を設ける。エミッタ13の尖端部POを囲む開口15を有する電極層34を絶縁層12を介して設け、当該電極層34をn型ソース領域32の上方に至るまで伸ばす。電極層34を複数の電極G1,G2,G3に分割する。電極G1には引き出し電圧Vgを印加する。電極G2はX選択線Lxに、電極G3はY選択線Lyに接続する。
請求項（抜粋）：
p型半導体基板の一表面上に形成され、ソース電極の付されたn型ソース領域と;該n型ソース領域に対し横方向に離間した位置にあって該p型半導体基板の該一表面から突出するように設けられ、突出端が鋭い尖端部になっているエミッタと;上記エミッタと上記ソース領域間に亙って該p型半導体基板上に設けられた絶縁層と;該絶縁層の上に設けられ、上記エミッタの上記尖端部を囲む開口を有し、該エミッタ尖端部から冷電子を引き出すための電圧が印加される引き出し電極と;該引き出し電極の上記ソース領域側の一端と上記ソース領域の上記エミッタ側の一端の上方との間にあって上記絶縁層上に設けられ、互いに横方向に並設の関係にあり、該絶縁層の下の上記p型半導体基板表面に反転層を誘起するための電圧がそれぞれ選択的に印加される複数の制御電極と;を有して成る冷電子放出素子。
FI (2件)：
H01J 1/30 C
, H01J 1/30 B
