特許
J-GLOBAL ID：200903089836865053
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138939
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330468
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 ポリメタルゲート構造とデュアルゲート構造とを採用するCMOSLSIにおいて、ゲート電極の一部を構成する高融点金属膜の酸化と、ゲート電極の他の一部を構成するp型多結晶シリコン膜中のホウ素の拡散とを共に抑制することのできるライト酸化処理技術を提供する。【解決手段】 水素ガスおよび酸素ガスと水素ガスとから触媒により合成された水蒸気を含む混合ガスを半導体ウエハ1Aの主面に供給し、エッチングによって削られたゲート電極の端部下のゲート絶縁膜のプロファイルを改善する熱処理を、ゲート電極の一部を構成する高融点金属膜が実質的に酸化されず、かつゲート電極の他の一部を構成するp型多結晶シリコン膜中のホウ素がゲート酸化膜を通って基板に拡散しない低熱負荷条件下で行う。
請求項（抜粋）：
以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体ウエハの主面のシリコン表面に形成された酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜上に、ホウ素がドープされた多結晶シリコン膜を形成する工程、(b)前記多結晶シリコン膜上に、直接またはバリア層を介してタングステンを主成分とする高融点金属膜を形成する工程、(c)前記多結晶シリコン膜および前記高融点金属膜をパターニングすることによって、ゲート電極を形成する工程、(d)前記工程(c)の後、水素ガスおよび水蒸気を含む混合ガス雰囲気下で前記ゲート電極の端部に対応する部分の前記シリコン表面および前記多結晶シリコン膜を熱酸化処理する工程。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 S
, H01L 27/08 102 C
