特許
J-GLOBAL ID：200903089935770676

荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置

発明者：
小山 光

小山 光 について

, 
西山 英利

西山 英利 について

, 
野副 真理

野副 真理 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (2件)： 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-405332
公開番号（公開出願番号）：特開2005-164451
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 半導体装置製造過程での未完成な半導体ウェハ上の任意の部分における欠陥検査のための、荷電粒子ビームを使用した検査方法および装置に関し、従来よりも均一性に優れた帯電制御技術を実現し、検査精度、測長精度に優れた荷電粒子線応用検査装置、検査方法を提供する。【解決手段】 紫外光照射と帯電制御電極への電圧印加を連携して動作させることで、ウェハスケールで帯電を均一化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路パターンが形成された基板に対して電位を印加するための電極を有する荷電粒子線装置を用いた検査方法において、 前記電極の電位を基板に対して負にする工程と、 該基板表面の領域に紫外線を照射する工程と、 該領域から発生する光電子を該領域に引き戻し吸着させることで該領域を負帯電させる工程と、 該領域を一次荷電粒子ビームで走査し該領域から発生する二次電子の信号を検出する工程と、 検出された二次電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、 形成された画像に基づき前記回路パターンの検査をする工程とを含むことを特徴とする検査方法。
IPC (7件)：
G01R31/302 ,  H01J37/20 ,  H01J37/22 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66
FI (7件)：
G01R31/28 L ,  H01J37/20 H ,  H01J37/22 502H ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 B ,  H01L21/66 J ,  H01L21/30 502V
Fターム (26件)：
2G132AA00 ,  2G132AD15 ,  2G132AE22 ,  2G132AF13 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA07 ,  4M106BA14 ,  4M106CA39 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ23 ,  5C001BB07 ,  5C001CC04 ,  5C033NN01 ,  5C033NP01 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05 ,  5C033UU06 ,  5C033UU08
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM