特許
J-GLOBAL ID：200903089981452700
凝集した内因性点欠陥が実質的に存在しない鉄濃度の低い単結晶シリコンの製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 山田 卓二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-558565
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521056
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
鉄不純物が低減された単結晶シリコンを製造する方法および装置を開示する。この装置は、グラファイト基質部を用いて構成された少なくとも1つの構造的部品と、成長チャンバの雰囲気に曝される基質部表面を覆う保護膜とを有する。グラファイト基質部は、約1.5×1012原子数/cm3以下の鉄濃度を有し、かつシリコンカーバイド保護膜は、約1.0×1012原子数/cm3以下の鉄濃度を有する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキ法により成長させた単結晶シリコンを
製造する結晶引揚装置であって、
成長チャンバと、
成長チャンバ内に配置された構造的部品とを備え、
構造的部品は、基質部と、成長チャンバの雰囲気に曝される基質部表面を覆う保護膜とを有し、
基質部はグラファイトからなり、約1.5×1012原子数/cm3以下の鉄濃度を有し、
保護膜はシリコンカーバイドからなり、約1.0×1012原子数/cm3以下の鉄濃度を有することを特徴とする装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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