特許
J-GLOBAL ID：200903090032901942

電界効果トランジスタ

発明者：
ジョン・トワイナム

ジョン・トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309095
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124373
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】閾値電圧のばらつきを抑えることができる電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】このGaNヘテロ接合電界効果トランジスタは、チャネル層103上に順次形成されたAlXGa1-XN第1グレーデッド層104とAlXGa1-XN第2グレーデッド層105を備えた。第1グレーデッド層104のAl組成xはチャネル層103との界面から第2のグレーデッド層105との界面に向かって0.2から0.1に直線的に減少している。第2グレーデッド層105のAl組成xは、第1のグレーデッド層104との界面から第1のグレーデッド層104とは反対側の表面に向かって0.1から0.3にAl組成xが直線的に増加している。AlXGa1-XNの自発分極が組成に依存するため、AlXGa1-XN第1グレーデッド層104には負の荷電が発生し、AlXGa1-XN第2グレーデッド層105には正の荷電が発生する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体からなるバッファ層と、 上記バッファ層上に形成された半導体からなるチャネル層と、 上記チャネル層上に形成されていると共にAlXGa1-XNからなり、かつ、Al組成xが層厚方向に連続的に変化している第1のグレーデッド層と、 上記第1のグレーデッド層上に形成されていると共にAlXGa1-XNからなり、かつ、Al組成xが層厚方向に連続的に変化している第2のグレーデッド層と、 上記第1または第2のグレーデッド層上に形成されたソースオーミック電極と、 上記第1または第2のグレーデッド層上に形成されたドレインオーミック電極と、 上記第1または第2のグレーデッド層上に形成されたゲートショットキ電極とを備え、 上記第1のグレーデッド層は、上記チャネル層との界面から上記第2のグレーデッド層との界面に向かってAl組成xが減少しており、 上記第2のグレーデッド層は、上記第1のグレーデッド層との界面から上記第1のグレーデッド層とは反対側の表面に向かってAl組成xが増加していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B
Fターム (20件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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