特許
J-GLOBAL ID：200903090046708703

半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

発明者：
近藤 貴幸

近藤 貴幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202466
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047691
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】半導体素子を有する層としてAlGaAs系のものを用いた場合に、より良好な選択比を確保することができるようにした、半導体装置の製造方法、及び半導体素子部材、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】基板10上に犠牲層11を介して半導体素子13を有した機能層12を形成し、犠牲層11をエッチングすることによって機能層12を基板10から剥離する工程を備えた、半導体装置の製造方法である。犠牲層11としてN型のAl(x1)Ga(1-x1)As層を形成し、機能層12をAl(x2)Ga(1-x2)As系の半導体層(ただし、x1>x2とする)から形成し、犠牲層11のエッチング液として濃度が5重量%以下、0.01重量%以上の塩酸またはフッ酸を用い、エッチング液による犠牲層11のエッチングを、犠牲層11に光を照射しつつ行うようにした。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板上に犠牲層を介して半導体素子を有した機能層を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記機能層を該基板から剥離する工程を備えた、半導体装置の製造方法において、 前記犠牲層としてN型のAl(x1)Ga(1-x1)As層を形成し、 前記機能層をAl(x2)Ga(1-x2)As系の半導体層(ただし、x1>x2とする)から形成し、 前記犠牲層のエッチング液として濃度が5重量%以下、0.01重量%以上の塩酸またはフッ酸を用い、 前記エッチング液による前記犠牲層のエッチングを、該犠牲層に光を照射しつつ行う ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L27/12 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/306 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H05B33/14
FI (7件)：
H01L27/12 B ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 338 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/306 B
Fターム (42件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5C094AA43 ,  5C094AA47 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA11 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EB05 ,  5C094EB10 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD30 ,  5F043FF10 ,  5F043GG01 ,  5F073AA51 ,  5F073AB15 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435EE34 ,  5G435EE37 ,  5G435EE38 ,  5G435EE41 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
審査官引用 (11件)
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