特許
J-GLOBAL ID：200903051416577217
不動態化垂直空洞面発光レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075014
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 物理的および化学的損傷から保護され、その製造工程が簡略化され、信頼性が向上した発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の面の上に配設された分散型ブラッグ反射器の第1の積層体, この第1の積層体の上に配設された第1のクラッド層, 第1のクラッド層の上に配設された活性領域, 活性領域の上に配設された第2のクラッド層, 第2のクラッド層の上に配設された分散型ブラッグ反射器の第2の積層体を含む不動態化垂直空洞面発光レーザ。放出される光の波長の約半分の整数倍の光学的厚みを有する不動態化層がこの垂直空洞面発光レーザの上に配設される。
請求項（抜粋）：
面を有する半導体基板;前記半導体基板の面上に配設された分散型ブラッグ反射器の第1積層体,前記分散型ブラッグ反射器の第1積層体上に配設された第1のクラッド領域, 前記第1クラッド領域上に配設された活性領域, 前記活性領域上に配設された第2クラッド領域, 前記第2クラッド領域上に配設された分散型ブラッグ反射器の第2積層体を含む垂直空洞面発光レーザであって、前記垂直空洞面発光レーザは選択された波長の光を放出する垂直空洞面発光レーザ;および前記垂直空洞面発光レーザの上に配設された不動態化層であって、前記不動態化層は放出される光の波長の約半分の整数倍の光学的厚みを有する不動態化層;から成ることを特徴とする不動態化垂直空洞面発光レーザ。
引用特許：
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