特許
J-GLOBAL ID：200903090268314118
ナノグラニュラー軟磁性膜およびその製造方法
出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構
独立行政法人物質・材料研究機構 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271178
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086412
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 高電気比抵抗でかつ増幅された異方性磁場を有し、約10GHzの超高周波数領域での利用が期待できるナノグラニュラー軟磁性膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この出願のナノグラニュラー軟磁性膜の製造方法は、FeまたはCoの少なくとも1種を主構成成分とする平均粒径が10nm以下の強磁性粒子が、窒化物、酸化物等のセラミックスからなる母相中に埋め込まれた形態をなすナノグラニュラー軟磁性膜を作製し、その後、真空中にて、0.1T以上の面内方向の強磁場を印加した状態で、熱処理を施すことにより異方性磁場を増幅させることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
FeまたはCoの少なくとも1種を主構成成分とする平均粒径が10nm以下の強磁性粒子が、窒化物、酸化物等のセラミックスからなる母相中に埋め込まれた形態をなし、異方性磁場が0.1T以上の面内方向の強磁場を印加した状態での熱処理により、製膜直後の軟磁性膜の異方性磁場に対して1.2倍から4倍に増幅されていることを特徴とするナノグラニュラー軟磁性膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
引用特許：
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved