特許

J-GLOBAL ID：200903090418348369

シリカ膜のフッ素化による応力制御

発明者： ロマウルド ノワク ,  ジョナサン シー. ピカーリング ,  アショク シンハ ,  アムリタ ヴァーマ ,  ストゥアルド ローブルズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209274
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079387
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 酸化ケイ素堆積膜の固有応力レベルを制御するための方法と装置を提供すること。【解決手段】 一つの実施形態における方法は、所望の応力レベルを有する膜を得るため、所定量のハロゲン元素をノズル14から処理チャンバ10内に導入し、膜に混入させるステップを含む。別の実施形態における本発明の方法は、高密度プラズマの条件の下で堆積した酸化ケイ素膜の応力レベルを、膜に所定量のフッ素を混入することにより調整するステップを含む。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内で、所定の固有応力レベルを有する層を基板上に堆積する方法であって、(a)前記所定応力レベルに従い選定した所定流量でハロゲンソースを前記処理チャンバに分配するステップと、(b)シリコン、酸素および前記ハロゲンソースを含むプロセスガスを前記チャンバ内に導入するステップと、(c)前記プロセスガスからプラズマを形成して、前記所定の固有応力レベルを有する前記層を、前記基板上に堆積するステップと、を含む堆積方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-045920   出願人：富士通株式会社
• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-007895   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• プラズマ化学蒸着を用いてフッ化シリコン酸化物層を形成する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-524377   出願人：ワトキンズ-ジョンソンカンパニー
• 特開平1-122126
  
• 特開平2-236282
  
• 特表平6-507942
  
• フッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179878   出願人：ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212004   出願人：沖電気工業株式会社, 日本エー・エス・エム株式会社
• 特開平4-346829
  
• スパツタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197239   出願人：ソニー株式会社