特許

J-GLOBAL ID：200903090533003022

半導体装置及びこれを用いた電源システム

発明者： 坂本 光造 ,  白石 正樹 ,  岩崎 貴之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167560
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368220
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】縦形パワーMOSFETのオン抵抗と容量低減とDC/DC電源回路の効率向上。【解決手段】半導体チップの第1面に形成されているシリコン溝上にゲート電極6,7,ゲート酸化膜5,ソース領域4,チャネル拡散領域3を設け、n型エピタキシャル領域2をドレイン領域とする縦形のトレンチパワーMOSFETにおいて、前記ゲート電極の最大幅(L2)より前記チャネル拡散層で挟まれるゲート電極層領域の最小幅(L3)を20%以上狭くして低容量で低オンのトレンチパワーMOSFETを実現する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの第1面に形成されているシリコン溝上にゲート電極が設けられ、前記シリコン溝に沿ってゲート酸化膜が設けられ、前記シリコン溝の外側で前記ゲート酸化膜に隣接して第1導電型のソース領域と2導電型のチャネル拡散領域と第1導電型のドレイン領域とが設けてあって、前記ゲート電極の最大幅に比べ前記チャネル拡散層で挟まれるゲート電極層領域の最小幅のほうが20%以上狭いことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 656 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H02M 3/155

FI (8件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 656 B ,  H02M 3/155 T ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/04 H

Fターム (18件)：

5F038AZ04 ,  5F038BB01 ,  5F038BB06 ,  5F038BG03 ,  5F038BH05 ,  5F038DF01 ,  5F038DF04 ,  5F038EZ20 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS19 ,  5H730BB13 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730DD15 ,  5H730EE08 ,  5H730EE10 ,  5H730ZZ15

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-053427   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-192963   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-224550   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-169125   出願人：日本電気株式会社
• トレンチ接触法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184988   出願人：ハリス・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-184521   出願人：日本電気株式会社