特許
J-GLOBAL ID：200903090616985684
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011885
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217490
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のCOD耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO2膜からのZn拡散位置を深くすること。【解決手段】酸化亜鉛を70重量%以上含有する酸化亜鉛と酸化シリコンを含有する膜11を拡散源を化合物半導体層2〜8上に被着する工程と、加熱により前記拡散源より前記化合物半導体層2〜8内に亜鉛を拡散する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛を70重量%以上含有する酸化亜鉛と酸化シリコンを含有する膜を拡散源を化合物半導体層上に被着する工程と、加熱により前記拡散源から前記化合物半導体層内に亜鉛を拡散する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/16
, H01L 21/203
, H01L 21/22
H01S 5/16
, H01L 21/203 S
, H01L 21/22 C
5F073AA74
, 5F073AA86
, 5F073CA06
, 5F073CB02
, 5F073DA13
, 5F073EA28
, 5F103AA08
, 5F103BB22
, 5F103DD30
, 5F103HH03
, 5F103LL03
, 5F103PP03
, 5F103RR05
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
