特許
J-GLOBAL ID：200903090738168121
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175098
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026679
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】チップ面積の小さいCSP構造の半導体装置の信頼性向上させること、及び電極パッドと突起電極の数の多いCSP構造の半導体装置の信頼性を向上させること。【解決手段】半導体基板101と、た電極パッド102と、電極パッド102の表面の一部を露出する第1の開口部を有するパッシベーション膜103と、電極パッド102の表面の一部を露出する第2の開口部を有する絶縁膜104と、外縁を有する突起電極106と、封止樹脂107とを有する半導体装置であって、突起電極106は、外縁が第2の開口部と重ならないように、電極パッド102上に配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、
前記主表面上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの表面の一部を露出する第1の開口部を有し、前記主表面上を覆うパッシベーション膜と、
前記電極パッドの表面の一部を露出する第2の開口部を有し、前記パッシベーション膜上を覆う絶縁膜と、
外縁を有し前記電極パッドに電気的に接続された突起電極と、
前記突起電極の一部及び前記絶縁膜上を覆う封止樹脂とを有する半導体装置であって、
前記突起電極は、前記突起電極の外縁が前記第2の開口部と重ならないように、前記電極パッド上に配置されていることを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/92 602F
, H01L23/12 501P
出願人引用 (8件)
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半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-281393
出願人：株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ, デクスター株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-012283
出願人：ソニー株式会社
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バンプ形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-276323
出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (9件)
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