特許
J-GLOBAL ID：200903090920547723

高温動作ダイヤモンドトランジスタ装置及びこれを用いた温度計、増幅器

発明者：
横田 嘉宏

横田 嘉宏 について

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川上 信之

川上 信之 について

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林 和志

林 和志 について

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橘 武史

橘 武史 について

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小橋 宏司

小橋 宏司 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-055565
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234911
出願日： 2006年03月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】高温下で動作するダイヤモンド半導体を使用して、高温下でも冷却装置を設けることなく動作させることができるダイヤモンドトランジスタ及びそれを使用した高温動作デバイスを提供する。【解決手段】ダイヤモンド電界効果トランジスタ1はソース・ドレインとして、ボロンドープのダイヤモンド層3a、3bを使用し、チャネルとしてアンドープダイヤモンド層5を使用し、更に、ダイヤモンド層5上のゲート絶縁膜9上にゲート電極10が設けられている。このとき、ドレイン電流をId、絶対温度をT(K)、電界効果トランジスタ及びバイアス条件により決まる定数をa0、a1、ボルツマン定数をkB(1.38×10-23J/K)とすると、Id=a0・exp{-a1/(kB・T)}を満足する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド基板と、この基板上に局所的に形成された第1及び第2のダイヤモンド層と、前記第1及び第2のダイヤモンド層よりも不純物濃度が低く前記第1及び第2のダイヤモンド層間に設けられたチャネル領域としての第3のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層上に形成されたソース電極と、前記第2のダイヤモンド層上に形成されたドレイン電極と、前記第3のダイヤモンド層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有することを特徴とする高温動作ダイヤモンドトランジスタ装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  G01K 7/01
FI (4件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301T ,  G01K7/00 391M ,  G01K7/00 391S
Fターム (22件)：
5F140AA00 ,  5F140AA37 ,  5F140AC07 ,  5F140AC31 ,  5F140BA01 ,  5F140BA04 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140BH21 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK29 ,  5F140CE05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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