基板処理装置および方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮川貞二 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-014132
公開番号（公開出願番号）：特開2003-213500
出願日： 2002年01月23日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】基板周縁部の膜の除去を簡略化し、確実に除去することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板表面WAの基板周縁部と基板デバイス有効部との間に段差を持つように成膜された基板Wについて、基板表面WAの膜を全面にわたって同時に所定の厚さ除去する処理を施すことが可能な膜除去装置11を備える基板処理装置とする。基板処理装置は、電解加工装置であってもよい。このようにすると、基板表面の基板周縁部と基板デバイス有効部との間に段差を持つように成膜された基板について、基板表面の膜を同時に全面にわたって所定の厚さ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部の膜を確実に除去し、基板デバイス有効部に膜を残存させる除去処理を簡易に施すことができる。

請求項（抜粋）：

基板表面の基板周縁部と基板デバイス有効部との間に段差を持つように成膜された基板について、前記基板表面の前記膜を全面にわたって同時に所定の厚さ除去する処理を施すことが可能な膜除去装置を備える;基板処理装置。

IPC (6件)：

C25F 7/00 , C23F 1/00 103 , C23F 1/08 101 , C25F 3/00 , C25F 3/30 , H01L 21/288

FI (10件)：

C25F 7/00 M , C25F 7/00 L , C25F 7/00 Q , C25F 7/00 S , C25F 7/00 U , C23F 1/00 103 , C23F 1/08 101 , C25F 3/00 C , C25F 3/30 , H01L 21/288 E

Fターム (15件)：

4K057WA01 , 4K057WA04 , 4K057WB04 , 4K057WB15 , 4K057WE02 , 4K057WE07 , 4K057WE23 , 4K057WE25 , 4K057WM06 , 4K057WM07 , 4K057WM11 , 4K057WM13 , 4K057WN01 , 4K057WN02 , 4M104DD52

引用特許：

審査官引用 (8件)

研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-056039 出願人：ソニー株式会社
電解加工方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-241869 出願人：森勇蔵, 株式会社荏原製作所
超純水中の水酸基による加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-212517 出願人：森勇藏

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