鏡面面取りウェーハの品質評価方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379119
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177100
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】鏡面仕上げされた面取り面を高い精度で品質評価する鏡面面取りウェーハの品質評価方法を提供する。【解決手段】鏡面仕上げされたシリコンウェーハWの面取り面に、アルカリ性エッチング液を使用し、1.5μmエッチングする。これにより、面取り面に存在する横スジ、各種のキズおよびPCR時の加工ダメージなどの凹み欠陥が選択的にエッチングされる。その結果、従来のウェーハエッジ欠陥自動検査装置では検出が不可能な程度の微細な凹み欠陥でも、ピットPとして検出可能な大きさまで増幅される。これにより、より高い精度で鏡面面取りウェーハWの品質評価を行うことができる。

請求項（抜粋）：

鏡面面取りされた半導体ウェーハの面取り面に、アルカリ性エッチング液を使ってエッチングを施し、この面取り面の凹み欠陥を増幅する工程と、この増幅された面取り面の凹み欠陥を測定する工程とを備えた鏡面面取りウェーハの品質評価方法。

IPC (5件)：

G01N 21/956 , G01B 21/30 , H01L 21/306 , H01L 21/66 , G01B 11/30

FI (5件)：

G01N 21/956 A , G01B 21/30 , H01L 21/66 J , G01B 11/30 A , H01L 21/306 B

Fターム (26件)：

2F065AA49 , 2F065BB25 , 2F065CC19 , 2F065CC32 , 2F065FF44 , 2F065GG03 , 2F069AA60 , 2F069BB15 , 2F069GG04 , 2F069GG07 , 2F069PP04 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051AB03 , 2G051AB05 , 2G051AB07 , 2G051AB10 , 2G051BA10 , 2G051CB05 , 4M106AA01 , 4M106AB20 , 4M106CA24 , 4M106CA38 , 4M106DH55 , 5F043AA02 , 5F043BB01

引用特許：

審査官引用 (8件)

シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-153621 出願人：信越半導体株式会社
シリコンウエーハの評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-153622 出願人：信越半導体株式会社
半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-339897 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 株式会社ノリタケカンパニーリミテド

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