特許
J-GLOBAL ID:200903091235103509

熱処理装置、処理装置及び熱処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大森 純一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-036577
公開番号(公開出願番号):特開2000-252181
出願日: 2000年02月15日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 正確に保持板表面の温度を推定し、基板の熱履歴とは無関係に、保持板表面が短時間で所望の処理温度に達し、基板を所望の処理温度で処理する時間を長くできる半導体ウエハの熱処理装置及び方法の提供。【解決手段】 保持板32の裏面側には加熱素子33が配置され、保持板の表面に載置された基板が加熱処理されるようになっている。この保持板には、その裏面から表面に向けて有底の穴34が設けられている。穴内の異なる高さの位置には、それぞれ第1の温度センサ39及び第2の温度センサ40が配置されている。そして、制御部が、第1の温度セン及び第2の温度センサによる検出結果に基づいて、保持板表面の温度を推定し、この推定した温度に基づいて、保持板32に供給される熱エネルギを制御し、保持板上の基板の加熱処理温度を制御している。
請求項(抜粋):
基板を熱処理する熱処理装置において、第1の面及び第2の面を有し、第1の面又はその近くで前記基板を保持する保持板と、前記第2の面側から熱エネルギを供給する供給部と、前記保持板内の、前記第1の面から第1の深さの第1の位置に配置され、前記第1の位置の第1の温度を検出する第1の温度センサと、前記保持板内の、前記第1の面から第1の深さとは異なる第2の深さの第2の位置に配置され、前記第2の位置の第2の温度を検出する第2の温度センサと、前記検出された第1の温度及び前記検出された第2の温度に基づいて、前記供給される熱エネルギを制御する制御部とを具備することを特徴とする熱処理装置。
引用特許:
審査官引用 (10件)
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