CMOSイメージセンサおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 宍戸嘉一 , 弟子丸健 , 井野砂里
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-353853
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191007
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】光感知素子をカラーフィルタの直下部に形成することで、光量の損失を防止し、光感度を向上させると共に、トランジスタを形成した後、その上に光感知素子を形成させることで、高集積回路の実現が可能となるCMOSイメージセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るCMOSイメージセンサは、半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含む。【選択図】図3D

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために、前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 E , H04N5/335 E

Fターム (19件)：

4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA14 , 4M118CA14 , 4M118CA32 , 4M118CB05 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024AX01 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024DX01 , 5C024GX04 , 5C024GX07 , 5C024GY31

引用特許：

審査官引用 (12件)

積層型固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-025805 出願人：日本放送協会, オリンパス光学工業株式会社
性能強化構造を備えるイメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-000145 出願人：ゼロックス・コーポレーション
特開平1-202859

全件表示

前のページに戻る