特許
J-GLOBAL ID：200903015730169836

回折格子を備えた半導体レーザ

発明者：
小林 正英

小林 正英 について


出願人/特許権者：
NEC化合物デバイス株式会社

NEC化合物デバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295849
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134486
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】λ/4位相シフト部や位相調整領域がレーザ共振器の中央に形成された半導体レーザと同等の単一モード歩留りを維持しながら、高い信号光出力を得るために必要なレーザ共振器方向のκ変調プロファイルを高精度に実現できる半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体基板101上にλ/4位相シフト部103を持つ回折格子102を形成し、その上に光ガイド層104を形成する。光ガイド層104の組成および厚さの少なくとも一方は、光導波路方向に沿って変調されている。光ガイド層104は、その全面にわたって回折格子102の山頂よりも低いレベルにある。回折格子結合係数κの変調プロファイルは、回折格子102の高さではなく、光ガイド層104によって精密に制御される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、λ/4位相シフト部あるいは位相調整領域を有する回折格子と、 前記回折格子に隣接して前記半導体基板上に形成された光ガイド層と、 前記光ガイド層に隣接して形成された活性層とを備え、 レーザ光を伝播する光導波路が前記活性層を含んで形成されている半導体レーザにおいて、 前記光ガイド層の組成および厚さの少なくとも一方が、光導波路方向に沿って変調されていると共に、前記光ガイド層がその全面にわたって前記回折格子の山頂よりも低いレベルにあることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S5/12 ,  G02B5/18 ,  H01S5/20
FI (3件)：
H01S5/12 ,  G02B5/18 ,  H01S5/20 610
Fターム (16件)：
2H049AA33 ,  2H049AA50 ,  2H049AA62 ,  2H049AA65 ,  5F073AA03 ,  5F073AA21 ,  5F073AA44 ,  5F073AA46 ,  5F073AA55 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA06 ,  5F073EA15 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (9件)
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