特許
J-GLOBAL ID：200903091493023692

プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ生成方法

発明者：
守屋 剛

守屋 剛 について

, 
長池 宏史

長池 宏史 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  伊坪 公一 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349790
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116821
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 プラズマ生成時に発生するパーティクルによるウェハの汚染を防止する。【解決手段】 半導体基板を処理する真空処理室の上下の電極間にガスを導入し、上下電極に高周波電圧を印加してプラズマを生成する際に、高周波電圧の印加を多段階のシーケンスで行う。すなわち、最初のステップで、上下電極にプラズマ着火可能な最小限の高周波電圧を印加して最小限プラズマを生成し、その後印加電圧を段階的に増加させて所定のプラズマを生成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
プラズマによって処理される部材が載置される載置台と、 プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と、 プラズマ生成用の電力を前記ガスに供給する電力供給部とを備え、 前記電力供給部は、最初にプラズマ生成に必要な最小限の電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後前記電力を増加し前記部材の処理に必要なプラズマを生成するように制御されるプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/3065 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  C23C16/52 ,  H05H1/46 A
Fターム (9件)：
4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ECRプラズマCVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-218968   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (4件)
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