フリップチップ構造及びその実装方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277116
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097818
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ実装における素子特性の低下を防止すること。【解決手段】回路チップ102 の表面102a上にAuやそれを含む多層膜等から成る配線106、107、108 がメタルリフトオフやメッキ等の方法により形成されている。基板101 の表面101a上には外周回路を構成するAuやそれを含む多層膜等から成る配線103、104、105、109、110、111 がメタルリフトオフ等の方法により形成されている((a)図参照) 。配線107 は回路チップ102 に形成されたスルーホール112、113 内の導体を介して裏面102b上に形成されたバンプ用電極116、117 に電気的に接続されている。バンプ用電極116、117 はAu-Sn はんだ等のバンプ114、115 を介して配線104、110 に電気的に接続されている((b)図参照) 。

請求項（抜粋）：

一方の面である第一の面上に形成された第一の配線と、他方の面である第二の面上に形成された第二の配線と、該第二の配線上に形成された第一のバンプと、前記第一の面と前記第二の面との間を貫いて前記第一の配線と前記第二の配線とを電気的に接続するようにその内部に導体が形成された第一のスルーホールとを有した高周波回路チップと、一方の面である第三の面上に第三の配線が形成された誘電体から成る基板とを有し、前記回路チップの前記第二の面と前記基板の前記第三の面とを対向させ、前記第一のバンプと前記第三の配線とが電気的に接続されていることを特徴とするフリップチップ構造。

IPC (3件)：

H01L 21/60 321 , H01L 21/60 311 , H01L 23/12 301

FI (3件)：

H01L 21/60 321 X , H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 301 L

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-103825 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
半導体装置、その実装体及び実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-198442 出願人：株式会社リコー
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-006312 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

全件表示

前のページに戻る