特許
J-GLOBAL ID：200903091585400000
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037979
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236086
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 キャップ層からチャネル層へのコンタクト抵抗を低減すること。【解決手段】 電子供給層(ショットキ層)108上部にショットキゲートコンタクト層109を介して超格子層110を積層する。これによりGaAs埋め込み層111との界面で起こるコンダクションバンドの曲がりが小さくなり、この部分におけるシート抵抗が低減される。又、ゲートショットキ直下においてはゲートリセス形成時に超格子層110層は削れているためショットキ層形成に効いてくるφBはAl0.2 Ga0.8 Asの値をとる。以上の結果、0.1Ω・mmオン抵抗が低減される。
請求項（抜粋）：
InGaAs又はGaAsで構成されるチャネル層、第1のAlGaAs層、AlGaAs/GaAs超格子層、GaAs層、第2のAlGaAs層及びオーミック電極用のInGaAs又はGaAsで構成されるキャップ層を順次積層してなり、さらに前記第2のAlGaAs層及びキャップ層中に形成される第1のリセスと、この第1のリセスの中でかつ前記AlGaAs/GaAs超格子層及びGaAs層中に形成される第2のリセスと、この第2のリセス内に設けられるゲート電極とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GM06
, 5F102GM08
, 5F102GN04
, 5F102GN05
, 5F102GN06
, 5F102GN08
, 5F102GN10
, 5F102GQ03
, 5F102GR04
, 5F102GR10
, 5F102HC01
, 5F102HC11
, 5F102HC16
, 5F102HC19
